Samsung Electronics Co. mengatakan bahwa pihaknya telah memulai produksi massal semikonduktor 3-nanometer, meningkatkan kinerja di simpul proses pembuatan chip paling canggih.
Chip 3nm generasi berikutnya dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA), yang menurut Samsung pada akhirnya akan memungkinkan pengurangan area hingga 35 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan proses FinFET yang ada.
"Samsung berkembang pesat menerapkan teknologi generasi berikutnya untuk manufaktur," kata president and head of Samsung's foundry business Choi Si-young dikutip dari Yonhap, Jumat.
COPYRIGHT © ANTARA News Jawa Timur 2022
Chip 3nm generasi berikutnya dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA), yang menurut Samsung pada akhirnya akan memungkinkan pengurangan area hingga 35 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan proses FinFET yang ada.
"Samsung berkembang pesat menerapkan teknologi generasi berikutnya untuk manufaktur," kata president and head of Samsung's foundry business Choi Si-young dikutip dari Yonhap, Jumat.
Editor : Abdul Hakim
COPYRIGHT © ANTARA News Jawa Timur 2022